匠心智策碳化硅迎产业化风口？工艺蜕变与成本为止仍面对“合手久战”

1月22日，德华安顾人寿发布董事会换届公告，官宣思勇明出任公司第五届董事会董事长，其任职资格自山东金融监管局核准并完成公司任命后正式生效，同时，史峰磊自2026年1月12日起不再担任董事长。目前，史峰磊担任德华安顾人寿党委书记、董事。

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图虫创意/供图

　　证券时报记者王一鸣

　　本年以来，碳化硅（SiC，碳和硅的化合物）产业层面催化按捺。近日，露笑科技晓谕初次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全过程工艺的拓荒测试；在此之前的1月中旬，好意思国SiC企业Wolfspeed亦晓谕制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆……

　　跟着12英寸SiC产物加速涌现，本钱阛阓曾屡次出现CoWoS（台积电的先进封装工夫）将用碳化硅替代硅当作中间层的传奇，并一度引起资金的炒作。不外，关于这一说法，SICA深芯盟产业分析师卢兵在接收证券时报记者采访时暗示，这个逻辑显耀高估了工夫近况和营业可行性，不宜将SiC稀奇的导热性能径直等同于其当作复杂中介层的可行性，实质上二者是不同的见识。

　　投资“新逻辑”

　　碳化硅是一种典型的第三代半导体材料，属于宽禁带半导体。凭借耐高压、耐高频、高导热性、高温判辨性、高折射率等特色，碳化硅在电动汽车及光伏等高性能诳骗边界中具有显耀上风。

　　与此同期，连年来碳化硅在AI与AR眼镜等新兴边界的动态亦为产业界和本钱市景况温煦。举例，天岳先进高层在昨年12月的事迹会上先容，公司正重点拓展新兴边界的客户群体。其中，碳化硅在CoWoS边界诳骗趋势明确，公司依托12英寸产物工夫上风，正与产业链伙伴深化相助。

　　在昨年9月的投资者关系行为中，SiC设立商晶升股份曾酌量了碳化硅在CoWoS中的诳骗出路及联系推崇。“公司确有下搭客户已于数月前向台积电送样，并将迟缓进行小批量供应。针对这一新的工夫转向，公司会连接保合手与客户的精细合作。”

　　面对上市公司方面表示的三言五语，本钱阛阓却勾画出“CoWoS将用碳化硅替代硅当作中间层”这一“新逻辑”。对此，有半导体投资和产业界东说念主士向证券时报记者分析了其中可能存在的逻辑误区。

　　陈启长期从事半导体产业投资，于2016年追踪碳化硅这一细分边界并参投联系企业。他向证券时报记者先容，CoWoS是后摩尔时期的主流2.5D异构集成有策划，实质落地是把GPU和HBM等集成到一个硅衬底上，而况在硅衬底上通过布线，连续GPU和HBM，以增多GPU和HBM的里面信号的速率，从而碎裂“存储墙”。

　　“谈‘替代’为时过早”

　　“CoWoS给与硅当作中间层，原因包括硅衬底实足低廉、工艺锻练度高、硅设立容易获取等，而况硅上布线能上更小线宽和更高的密度。污点在于布线密度增多后，集成度高带来更大的功耗，因此发烧更大。就发烧而言，碳化硅虽能处治发烧问题，但碳化硅在其他层面尚无上风可言。”陈启以为。

　　陈启分析，最初是成本问题，硅12英寸衬底约800—1000元，碳化硅在履历大降价后，目下6英寸照旧约2000元，8英寸约4000—5000元，12英寸更高。其次，碳化硅和硅比拟最大的污点在于硬度，硅用ICP（电感耦合等离子体）刻蚀，小线宽工艺锻练，但碳化硅必须要用高能量的CCP（电容耦合等离子体）刻蚀，而且还防止易刻蚀出更小的形容，设立端针对碳化硅作念小线宽仍处于起步摸索阶段。

　　“这些工艺问题还和后头的信号仿真等精细联系，替换一个材料，其信号仿真真的是从新再来，该过程可能需要2至3年或更万古刻。业内目下更多温煦在硅中间层下贴一层碳化硅当作扶持散热层这沿门道是否可行，这只可等业界按捺尝试出最好有策划。然而不管奈何，目下谈‘替代’为时过早。”陈启指出。

　　卢兵亦合手不异看法。他指出，短期（1至3年）SiC最可能的诳骗是当作高性能散热衬底或热千里，深圳股票配资平台用于对散热条目最极点的特定场景，这适当“局部功能附加”的定位。台积电等厂商也如委果评估导电型SiC当作热基板的可行性。中期（3至5年）而言，跟着12英寸SiC晶圆成本的下落和切割等关节工艺的锻练，可能会出现将SiC当作无源（不含复杂电路）或半有源中介层的尝试，但这仍将局限于对成本不敏锐的顶级产物。

　　“碳化硅是处治畴昔AI芯片散热勤劳的有劲竞争者，但它的征程并非一蹴而就的‘替代’，而更可能是一场检修材料科学、制造工艺与成本为止的‘合手久战’。投资者和产业不雅察者支吾此保合手澄莹的刚硬，永诀阛阓叙事中的理念念光环与工程践诺的重重挑战。”卢兵说。

　　悄然崛起的中国力量

　　回看SiC产业链结构，上游神志主要包括碳化硅衬底晶圆的制造、外延片加工，以及联系分娩设立和材料。其中，SiC单晶衬底（俗称碳化硅晶圆）是扫数产业链中工夫壁垒最高、价值量最大的中枢神志。目下一派SiC器件的成本中，衬底约占47%，外延片约占23%，总共约70%。工夫旅途上，全球商用SiC衬底以6英寸为主流，8英寸（200mm）正在加速推动。

　　相较硅基半导体，碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等秉性，使其在电动汽车、光伏及储能系统、电力电网、通讯等高性能诳骗边界中具有显耀上风，尤其是在判辨性和耐用性方面。

　　“电动车是现时碳化硅最中枢的诳骗阛阓。在800V高压架构车型中，SiC真的是标配遴荐，因为硅基IGBT已难以高慢如斯高压下的高效责任条目。”中关村物联网产业定约副书记长袁帅向记者汇报。

　　关于SiC在电动汽车的诳骗，特斯拉是先驱，之后，比亚迪、蔚来、小鹏、飞奔、大家等中外车企的新款高性能车型也持续导入SiC器件。

　　从产业花式来看，碳化硅产业链往常主要为海外大厂所占据，经过多年发展，中国企业在衬底、外延、器件等神志全面突破，已成为全球碳化硅产业不能或缺的力量。

　　举例，在衬底边界，2022年以前，好意思国的Wolfspeed、日本的昭和电工（现Resonac）等占据了全球大部分阛阓份额；据调研机构富士经济的数据，在2023年全球导电型碳化硅衬底阛阓占有率名次中，天岳先进跨越好意思国Coherent，跃居全球第二。另一家中国公司天科合达阛阓份额位列第四。

　　在设立与材料边界，目下中微公司和朔方华创等原土厂家已推出用于SiC/GaN的MOCVD外延设立；在晶体孕育炉边界，晶盛机电则是我国在半导体晶体设立方面的杰出人物，其6—8英寸碳化硅长晶炉和切磨设立已批量供应国内客户。

　　阛阓波动不改长期出路

　　从行业空间来看，据Yole Group数据，2024年全球碳化硅功率器件阛阓范围为34亿好意思元，尽管汽车阛阓放缓扼制了碳化硅的短期需求，并深切影响了扫数碳化硅供应链，但Yole Group以为，碳化硅照旧是电气化门道图中的中枢工夫，展望到2030年，其器件收入将接近100亿好意思元，年复合增长率约20.3%。

　　国内方面，连年来全球产业新增设立本钱开支的重点，正赶快向中国内地周折。2024年，中国厂商已占据约40%的碳化硅晶圆（衬底）及外延片产能，并正加速向器件制造边界延迟。字据CASA-China数据，中国2024第三代半导体功率电子阛阓范围约为176亿元（SiC+GaN，SiC为主），展望到2029年有望跨越460亿元，年复合增长率约21%。

　　“中期的SiC阛阓仍受到两方面身分冲击：一是全球电动车需求短期放缓，二是来改过兴SiC制造商的价钱与产能竞争加重。这也响应在产业链结构和事迹上，举例，日本SiC厂商JS Foundry于2025年7月央求停业。同庚9月，Wolfspeed已完成停业重整，目下正在进行重组。但长期来看，在新动力汽车、光储以及未回电网等卑劣昌盛需求的运行下，碳化硅行业长坡厚雪的逻辑未变。”袁帅称。

　　SICA深芯盟产业分析师何俊材告诉证券时报记者，业内大量预期本轮材料端洗牌将在2026年末基本实现，届时行业聚合度将大幅擢升，幸存者有望得回订价语言权。

万生优配

　　Yole Group以为，履历了五年的大范围投资后，阛阓需要先消化现存产能，随后新一代设立和工夫才气推动下一轮膨胀。